我校陈镇平教授赴美国参加国际学术会议

发布部门: 技术物理系   发布时间: 2005-09-27   浏览次数: 61

受“2005年国际低温工程和低温材料大会（Cryogenic Engineering & International Cryogenic Materials Conference/2005，简称CEC/ICMC）”主席Dr. U.（BaLu）Balachandran的邀请,我校技术物理系陈镇平教授于2005年8月31～9月2日赴美国Keystone参加会议。来自二十多个国家的600余位学者到会,其中中国学者13人。         CEC/ICMC是国际低温工程领域最高级别学术会议，每两年召开一次，出版物“Advanced in Cryogenic Engineering”为美国国会图书馆收录。会议期间，陈镇平教授和多国学者就超导材料的研究进行了广泛的学术交流，会议期间交流了三篇论文，其中题为“Influence OF Gd/Eu Substitution on the Local Electron Density and Superconductivity of Y1-xRxBa2Cu3O7-δ (R= Gd, Eu) Systems”学术论文,引起许多学者的广泛兴趣。         陈镇平教授任教以来，在教学科研方面取得了令人瞩目的成果，得到了大家的广泛赞誉，这次参加国际会议，并在会议上宣读交流论文，在一定程度上提升了我校的形象，扩大了技术物理系的影响。                                                       技术物理系